El CEO de Intel insinúa que superará a TSMC en la tecnología de chips de próxima generación
25.12.2023 00:16
SANTA CLARA – En el sector de los semiconductores, en constante evolución, Pat Gelsinger, Consejero Delegado de Intel (NASDAQ:), ha señalado que el próximo nodo de proceso de la empresa podría superar el rendimiento de los futuros chips de su rival Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC). Ambos gigantes de la tecnología corren hacia el perfeccionamiento de nodos de semiconductores más pequeños y se sitúan a la vanguardia de la innovación con planes para producir en masa chips avanzados en los próximos años.
Intel se está preparando para introducir nuevas tecnologías, incluida su arquitectura RibbonFET, como parte de su estrategia para avanzar en la fabricación de semiconductores. El lanzamiento de esta nueva tecnología de semiconductores está previsto para finales de 2024. RibbonFET es la primera arquitectura de transistores nueva de Intel desde que introdujo FinFET en 2011, y promete mejoras significativas en el rendimiento y la eficiencia de los transistores.
En el otro lado de la competencia, TSMC ha trazado su hoja de ruta, con la intención de producir en masa su nodo N3P para finales de 2024. Además, TSMC proyecta el desarrollo de su nodo N2 para 2025. Estos avances representan pasos decisivos para TSMC, que sigue ampliando los límites del rendimiento y la eficiencia energética de los chips.
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