La estadounidense Micron envía su más reciente chip DRAM a sus socios del sector de teléfonos inteligentes
01.11.2022 13:35
© Reuters. FOTO DE ARCHIVO: El logo del fabricante estadounidense de chips de memoria MicronTechnology aparece en su stand en una feria industrial en Fráncfort, Alemania. 14 de julio, 2015. REUTERS/Kai Pfaffenbach/Archivo
1 nov (Reuters) – El fabricante estadounidense de chips de memoria Micron Technology Inc (NASDAQ:) dijo el martes empezó a enviar muestras de su chip DRAM más avanzado, basado en el estándar LPDDR5X de baja potencia y doble velocidad de datos 5X, a los fabricantes de teléfonos inteligentes para que lo prueben.
El último chip DRAM se ha fabricado con la tecnología más avanzada de Micron, denominada 1-beta. La empresa distribuye su chip DRAM LPDDR5X fabricado con su tecnología 1-alfa en volumen actualmente, y dijo que el nuevo chip 1-beta tiene un 15% más de eficiencia energética que la versión anterior, así como una mejora del 35% en el número de bits almacenados por área.
Los chips DRAM son chips de memoria que pierden la memoria cuando se apaga, mientras que los chips NAND almacenan la memoria independientemente de la energía.
La tecnología de fabricación 1-beta reduce aún más la tecnología 1-alfa, aunque Micron no ha dicho en qué medida. La fabricación de chips ha evolucionado hasta conseguir que quepan cada vez más transistores en un área determinada de silicio, lo que durante décadas ha reducido el costo por memoria y el consumo de energía, aunque empiezan a aparecer algunos límites.
Micron dijo que pudo llegar a la tecnología de fabricación 1-beta sin utilizar las costosas herramientas de litografía ultravioleta extrema, o EUV, que se utilizan en los últimos chips de procesador de los teléfonos inteligentes de gama alta.
Thy Tran, vicepresidenta de Integración de Procesos de DRAM en Micron, dijo que la nueva DRAM se fabricará primero en la planta de Micron en Hiroshima, Japón, y, posteriormente, en otros centros de fabricación de gran volumen, incluido Taiwán.
(Reporte de Jane Lanhee Lee; Editado en Español por Ricardo Figueroa)
